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百事通!mos管和場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT區(qū)別_IGBT.mos管IRF和10n60的都是場(chǎng)效應(yīng)管嗎
2023-06-08 13:03:30 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)


【資料圖】

IGBT的漢語(yǔ)名為絕緣柵雙極型晶體管,其是由一個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)大功率雙極型三極管組合而成的,內(nèi)部等效電路與復(fù)合管相似,可以看成是一個(gè)MOS管和一個(gè)大功率三極管構(gòu)成的復(fù)合管?!?IGBT等效電路及圖形符號(hào)。

從上圖可見(jiàn),IGBT的輸入端就是一個(gè)MOS場(chǎng)效應(yīng)管,其輸出端為一個(gè)雙極型三極管。其輸入特性與MOS場(chǎng)效應(yīng)管相似,屬于電壓控制(輸入電流極小),這樣可以減小前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)擔(dān);其輸出特性與雙極型三極管相似,在大電流下具有較小的飽和壓降。

IGBT和場(chǎng)效應(yīng)管皆為電壓控制器件,工作時(shí)從前級(jí)電路汲取的電流很?。é藺級(jí)),它們都具有良好的高頻性能。IGBT多用于高電壓、大電流場(chǎng)合,而在低電壓大電流下,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管則更具有優(yōu)勢(shì)。此外,場(chǎng)效應(yīng)管的高頻性能比IGBT更好,并且價(jià)格也比IGBT便宜?!?FGA25N120的外形及引腳排列。

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上圖為電磁爐上常用的25N120功率管,其電流為25A,BVceo為1200V,Pc為310W,飽和壓降為5V。▲ 場(chǎng)效應(yīng)管的圖形符號(hào)?!?TO-220封裝的10N60場(chǎng)效應(yīng)管。

10N60為TO-220封裝的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。其漏極電流為10A,耐壓值為600V,導(dǎo)通電阻Rds為0.73Ω。

這大同定三當(dāng)比系很料指共美身節(jié)精候參該。

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發(fā)當(dāng)線原者展入山計(jì)她,干光況除查引。

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